SemiHow科技成立于 2002 年，是一家專注于功率半導體技術的高科技企業。公司的核心團隊由在三星半導體積累了超過10年豐富經驗的工程師組成，他們在功率半導體設計技術、晶圓廠工藝技術以及晶圓廠生產技術等方面具備深厚的專業知識。

　　SemiHow科技于2004年與華潤微電子有限公司簽署《技術支持及代工協議》，支持華潤微電子的Planar mosfet制程技術，并在華潤微晶圓廠生產代工晶圓，并于2005年開發并推出HV MOSFET。韓國和中國第一家量產高壓MOSFET進入中國和韓國市場。

　　此后，SemiHow與FMIC、Skysilicon、華虹宏力等國內代工公司合作，持續推出低壓溝槽MOSFET、可控硅、雙向晶閘管、NPT IGBT、屏蔽柵溝槽MOSFET、超級結MOSFET產品。

　　并在移動充電器、適配器、消費電子、PC、EV充電器、網絡、服務器、LED照明等市場上以世界一流的技術獲得認可。

　　2018年，SemiHow科技與三星代工廠(“SF”)簽署戰略合作伙伴關系，在SF 8英寸生產線上開發和生產Power Discrete產品。2019年，作為第一個開發系列，我們開發了超過110種產品(600-900伏)的超級結S3 MOSFET(Rsp18級)和平面MOSFET 800,900伏產品。

　　隨后，不斷推進FS(Field Stop)IGBT、SGT MOSFET、Gen2 SJMOSFET的開發。2023年，我們發布了“Q4 FS IGBT、SGT MOSFET”產品，2024年，計劃推出“Q1 Gen2 SJ MOSFET”和“Q2 IGBT功率模塊”產品。

　　2020年起，SemiHow功率分立產品80%以上將由SF 8英寸晶圓廠和Synergy Power生產，憑借SemiHow20年全球技術競爭力和Know-How以及四大競爭力(晶圓廠產能、質量、交期、成本)的順豐8寸線能夠滿足任何客戶的需求。

　　發展歷史：

　　2023年

　　·完成1200V級IGBT開發。

　　·總部擴建并遷至仁川青羅。

　　2022年

　　·批準 Cuckoo Electronics 感應系列中 650 伏和 1400 伏等級的所有 IGBT 型號。

　　·被產業通商資源部認定為1000萬美元出口冠軍。

　　·全球最大礦機公司比特大陸已獲批，為首批供貨廠商。

　　·華碩 ATX Power 已獲得供貨批準。

　　2021年

　　·完成650伏和1400伏等級的IGBT開發。

　　·中小企業和初創企業部長的嘉獎。

　　2020年

　　·開始在 SF 開發 650 伏和 1400 伏等級的場截止 IGBT。

　　2019年

　　·三星代工廠(“SF”)8 英寸工廠開發了超過 Super Junction(“SJ”)MOSFET 600-900V 的 110 種產品。

　　·將SemiHow屏蔽柵溝槽(“SGT”) MOSFET工藝和普通低壓溝槽(“LVT”) MOSFET工藝移植到SF 8英寸晶圓廠。

　　2018年

　　·與SF事業部簽訂合同，將SemiHow Process技術移植到SF 8英寸工廠，并在SF生產SemiHow SJ MOSFET、SGT MOSFET、Planar MOSFET、FS IGBT產品。

　　·完成SemiHow SJ MOSFET工藝(Epi Stack技術)和Planar MOSFET 800,900V到SF 8英寸工廠的移植。

　　·SF 8英寸工廠開發的SJ MOSFET產品已獲得三星移動部門的認可并交付。

　　2016年

　　·三星超級結MOSFET移動充電器銷售額突破500萬美元

　　2015, 16年

　　·為三星Galaxy系列充電器供應約1.1億個700V SJ MOSFET。

　　2014年

　　·采用深溝槽技術開發 700v SJ MOSFET，并已獲批準用于三星 Galaxy S5、Note4 充電器。

　　2012年

　　·三星 Galaxy 系列充電器的高壓 MOSFET 產品和洗衣機應用的 Triac 產品獲得認可。

　　·開發晶閘管(Triac、SCR)

　　2010年11月

　　·在DB Hitech 8inch Fab開發Power Switch MCP(PWM IC+MOSFET)和PFC IC。采用加拿大Dalsa BCDMOS 8英寸工藝開發Soc(PWM IC+MOSFET)

　　2008年9月10日

　　·在國宇、中環和FMIC 6英寸工廠開發Gen2、Gen3、Gen4 Planar MOSFET。(SemiHow'工藝/生產技術移植)2007年

　　·注冊為三星電子和中國/韓國大客戶的功率分立供應商。

　　·實現銷售額1500萬美元。

　　2004年

　　·在華潤微電子有限公司5英寸工廠開發高壓(500-900V)平面MOSFET。(SemiHow'工藝/生產技術移植)

　　2003年

　　·在華山電子4英寸工廠開發用于PC電源應用的功率BJT(雙極結型晶體管)700Volt 13005,7,9。(SemiHow'工藝/生產技術移植)2002年

　　2002年

　　·SemiHow成立