羅姆正在加速開發碳化硅(SiC)半導體產品,以提升其在全球市場上的競爭力。這一舉措不僅表明了羅姆對碳化硅技術未來發展的重視,也反映出半導體產業在環境友好和能效提升方面的趨勢。
在智能化電子設備無處不在的今天,作為“電能心臟”的電源管理芯片,其重要性不言而喻。隨著全球供應鏈格局的變化與國內技術實力的崛起,“國產替代”已成為大勢所趨。
在現代電子電路中,三極管和MOSFET(場效應晶體管)是兩種常見的半導體元件,它們在開關速度和性能上有顯著的差異。尤其在高速開關應用中
將功率電子平臺從硅(Si)或氮化鎵(GaN)器件轉向碳化硅(SiC)器件,已從理論層面落地到實際應用。為在牽引逆變器、快速充電器、工業驅動器、光伏逆變器及電網儲能系統中實現更高效率、更大功率密度與更優...
既致力于成為氮化鎵(GaN)技術領域的重要力量,也在進一步鞏固其在汽車半導體領域的全球領先地位。該公司首次推出符合汽車電子協會(AEC)標準的車規級氮化鎵晶體管系列
高壓肖特基二極管因其獨特的電氣特性,廣泛應用于電源管理、逆變器、開關電源等領域。選擇合適的高壓肖特基二極管,不僅可以提高系統的效率,還能延長設備的使用壽命。
本文將從工作原理、核心部件、應用場景到選型要點,全面拆解升壓式變換器的技術細節,幫助你快速掌握這一關鍵電子元件的核心邏輯。
在半導體技術迭代浪潮中,碳化硅(SiC)模塊憑借耐高壓、高頻、高效的特性,正成為多領域升級的核心動力。這種第三代半導體器件突破硅基材料極限,在新能源、工業等領域展現出不可替代的價值。
為此,英飛凌科技集團(Infineon Technologies)近日宣布,將全力支持英偉達(NVIDIA)在2025年臺北國際電腦展上推出的800伏直流(VDC)人工智能基礎設施電源架構。這一轉型不...
在電子技術領域,“單片機” 和 “嵌入式” 是高頻出現的兩個概念,很多新手容易將二者混淆。實際上,二者既存在緊密聯系,又有明確的核心差異,理清它們的關系,對學習電子開發、選型技術方案至關重要。
在選擇功率模塊及相應材料時,需考慮作用于功率模塊和系統的各類應力源。將功率模塊集成到最終產品(如集成電源解決方案)中的系統制造商
隨著更多行業實現自動化,電動機的應用日益普遍。其中,工業領域所使用的電動機不僅體積最大,功率也最強。在該領域,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)憑借更卓越的性能
近日,全球知名半導體制造商羅姆半導體(Rohm)在日本宣布了一項重要的生產結構重組計劃,旨在提升其在電動車(EV)及其他高效能半導體產品領域的市場應對能力。
在現代工業和家居自動化中,電流傳感器扮演著至關重要的角色。它們用于監測和測量電流的變化,以確保設備的安全與高效運行。根據不同的應用需求,市場上存在多種類型的電流傳感器。
在現代電子設備和電力系統中,功率轉換器扮演著至關重要的角色。它不僅能夠有效地改變電流的特性,還能提升能效,降低能量損失。本文將深入探討功率轉換器的工作原理以及其在不同行業中的應用。
傳統的硅基MOSFET在性能上逐漸接近極限,而以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,則為功率轉換效率帶來了新的突破。那么,SiC功率MOSFET相比傳統硅器件究竟有哪些優點?
盡管面臨諸如產能過剩、工廠利用率下降以及復雜的地緣政治環境等挑戰,預計到2030年,WFE市場的規模將達到1840億美元,年均增長率將維持在4%到5%之間。
在開關電源、電機控制等電子電路設計中,二極管的選型直接影響設備穩定性與效率。其中,快恢復二極管與續流二極管常被新手混淆,二者雖同屬功率二極管范疇